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日本半導體材料大廠昭和電工近日宣布，其碳化硅（SiC）功率半導體的8英寸SiC外延晶圓已開始進行樣品出貨。昭和電工表示，和原先使用硅晶圓的功率半導體相比，SiC功率半導體的電力損耗更少、更不易發(fā)熱，來自電動車、再生能源領域的需求急增。

SiC半導體性能優(yōu)異，其禁帶寬度是硅的3倍，擊穿電壓是硅的8-10倍，導熱率是硅的3-5倍，電子飽和漂移速率是硅的2-3倍。SiC能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求，是制作高溫高頻、大功率高壓器件的理想材料之一。券商人士分析指出，未來隨著大直徑襯底占比提升、襯底和外延晶片質(zhì)量提高、單晶平均可用厚度持續(xù)增加以及擴產(chǎn)導致規(guī)模效應增大，SiC產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)成本有望持續(xù)降低，并實現(xiàn)對于下游領域的加速滲透。

關鍵詞： 三代半導體